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金属管壳气密封装
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预置金锡焊片的金锡盖板
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预涂助焊剂焊片的封装
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SMT焊片的应用
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功率器件镀金管壳发黑现象分析
转自半导体封装工程师之家蒋庆磊、王燕清、林元载、杨海华、李赛鹏(中国电子科技集团公司第十四研究所) 摘要:针对一种高功率器件在使用过程中镀金管壳底部发黑...
微波芯片共晶焊接技术研究
转自高可靠电子装联技术陈帅,赵志平 摘要:利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样...
Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用
转自半导体封装工程师之家近年来,随着MEMS技术的发展,大量的MEMS器件实现了商业化应用。由于MEMS器件大都存在薄膜可动结构,为了提高器件的可靠性,MEMS封装是MEMS设计...
金锡焊料特性与应用
转自秦岭农民1 金锡焊料金(Au),是一种贵金属,自然资源比较贫乏,其表面具有黄色光泽,原子有很大的原子间力和最大的堆积密度。金的抗氧化性能优良,延展性非常好。金对焊...
AuSn20 焊料在集成电路密封中形成空洞的研究
转自半导体封装工程师之家马艳艳、赵鹤然、田爱民康敏、李莉莹、曹丽华 摘要:高可靠集成电路多采用 AuSn20 焊料完成密封,在熔焊过程中焊缝区域往往产生密封空...
微波毫米波多芯片模块三维互联与封装技术
转自 高速射频百花潭吴金财 严伟 韩宗杰 微波毫米波固态有源相控阵天线在通信、雷达和导航等电子装备中得到广泛应用,三维互联与封装技术是研制小型化、...
AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响
转自李良海,仝良玉,葛秋玲(无锡中微高科电子有限公司) 摘要:共晶焊接装片以其稳定可靠的性能在微电子封装领域得到了越来越广泛的应用。在焊接过程中,由于界面氧化...
自动金锡合金焊工艺研究
转自 半导体封装工程师之家自动芯片共晶工艺的研究主要针对真空共晶工艺和自动共晶贴片工艺。合金焊料焊接具有电阻小、热导率高、焊接后机械强度高、工艺一致性...
GaAs功率芯片金锡共晶焊接技术
转自 众望微组装微组装领域知识研讨分享共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变化到液态,而不经过塑性阶段,其热导率、...
温度对金锡合金焊料共晶形貌影响机制研究
转自 高可靠电子装联技术 刘洪涛摘要: 金锡焊料熔封作为典型的高可靠气密封装方式,广泛应用于航空航天、船舶舰艇、导弹雷达、装甲坦克等装备系统器件。...
厚膜电路无助焊剂共晶焊工艺
转自 众望微组装 微组装领域知识研讨分享这篇文章主要摘取在厚膜电路当中共晶焊工艺的描述,涉及芯片背面金属化层、基板焊区金属化层、焊接压力、焊接气氛、...
微波芯片金锡全自动共晶焊接工艺
转自 众望微组装 微组装领域知识研讨分享本篇主要介绍微波芯片全自动金锡共晶焊接工艺。采用全自动设备对微波砷化镓芯片与可伐载体进行金锡共晶焊接,并利用...
大功率微波芯片共晶焊接工艺技术
转自高速射频百花潭 胡永芳 韩宗杰 文中采用自动化手段研究了大功率微波芯片共晶焊接技术,分别对影响微波芯片焊接焊透率的预置焊料、温度曲...
小型化、高密度微波组件微组装技术及其应用
转自高可靠电子装联技术 严伟 摘要:微组装技术是实现电子整机小型化、轻量化、高性能和高可靠的关键工艺技术。本文详细介绍了微波多芯片组件及技术、三...
薄膜基板芯片共晶焊技术研究
转自高可靠电子装联技术 巫建华摘要:共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺,在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文章简要介绍了共晶焊接的原理,分析...
微组装工艺流程
转自逐梦前行微组装 基板的准备分为电路软基板(RT/DUroid5880)的准备和陶瓷基板(AL2O3)的准备。电路软基板要求操作者戴指套,将电路软基板放在干净的...
微凸点技术
转自【环球 SMT 与封装】特约稿吴懿平博士华中科技大学 连接与电子封装中心 教授/博导德赢vwin官网手机登录 技术总监 【摘要】人类已经进入到超越摩尔...
HIC失效模式和失效机理
转自可靠性杂坛 2021年10月9日混合集成电路(HIC)的主要失效模式包括厚薄布线基板及互连失效、元器件与布线基板焊接/黏结失效、内引线键合失效、基板与金属外壳焊接...
SIP封装工艺流程(下)
转自半导体在线 2021年9月25日 SiP——为应用而生6.3.1.主要应用领域SiP的应用非常广泛,主要包括:无线通讯、汽车电子、医疗电子、计算机、军用电...
SIP封装工艺流程(上)
转自半导体在线 2021年9月23日摘要: 系统级封装(SIP)技术从20世纪90年代初提出到现在,经过十几年的发展,已经能被学术界和工业界广泛接受,成为电子技术研究...
共晶焊接技术在电子产品行业应用研究
摘自高可靠电子装联技术 2021年9月1日 共晶焊接是一种低熔点的合金焊接,它是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合...
高导热氮化硅陶瓷基板材料研究现状
2020-10-10 转自:中国粉体近年来,半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素,而绝缘基板的...
碳化硅和氮化镓——第三代半导体材料双雄
转自:世纪金光半导体 2020年6月6日 第三代半导体 全球有40%的能量作为电能被消耗, 而电能...
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